研发新型非易失性阻便存储器，“新忆科技”突破存储硬件性能与成本瓶颈

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今年1月公布的一份报道显示，2019年，全球仅嵌入式非易失性存储器市场总值到达了569亿元，预计2026年可以增长到1800亿元，年复合增长率(CAGR)为17.7%，整体非易失性存储器市场体量会更大。

36氪最近视察一个由清华技术控股孵化的集成电路领域、研发新一代非易失性阻便存储器的创新型高科技初创公司。建立于2018年的北京新忆科技有限公司（以下简称「新忆科技」）是一家拥有焦点技术和自主研发能力的存储器产销商，专注于新型存储器技术及应用。公司主营业务为新型阻变存储器（RRAM），包罗独立式存储器（Stand-alone-Memory）、嵌入式存储器（Embedded Memory），及其周边的SOC产物（SOC：System on Chip，即系统级芯片或片上系统）。

凭据官网公然信息，「新忆科技」的焦点产物阻变存储器（RRAM or ReRAM，也称忆阻器）是新一代非易失性存储技术之一，可应用于物联网、消费电子、汽车电子、医疗电子、航天航空和工业控制等多个领域。非易失性存储指的是，当关闭电流后，所存储的数据不会消失的电脑存储技术。「新忆科技」的产物是如何实现非易失性存储的？据官网先容，其存储器件接纳了M-I-M的三明治结构，即两层金属电极上下困绕阻变层的结构。当在上下两层金属电极之间施加电压，阻变层就因此泛起一条导电通道，该通道的状态可通过控制金属电极间的电压来变换。器件的电阻值随电压和导电通道的状态的变化而变化，并相互对应。如果去掉电极上的电压信号，电阻值（存储状态）仍然会继续保持，这就使得存储器在断电之后存储状态稳定、数据不会丢失。

图源官网：阻变器件的结构及事情机理

产物有诸多创新点和特点：第一，器件方面，因其结构简朴、尺寸易于缩小，使得大容量、高密度的应用成为可能；第二，操作方面，使用方式简捷；第三，器件特性和性能方面，具有高速度，低功耗的特点。因为相较于传统闪存，RRAM的写入速度比其快1000倍以上，而且制止了预先擦除，施加相对低的电压即可实现同样的功效；第四，产物兼容性方面， 因为阻变器件中使用的质料为CMOS工艺中常用的质料，可与CMOS工艺（CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物）兼容，适合应用于嵌入式场景；第五，产物制造成本较低，因为在制造工艺可淘汰使用掩膜版（一种用于图形“底片”转移的高细密工具）。

「新忆科技」的产物已有不少乐成落地的应用案例。好比，RRAM的低功耗、宽电压的特点让其适用于嵌入可穿着设备中，延长电池更换时间；在物联网领域，可用于放在节点设备中存储数据和代码等等。此外，公司还认为，基于阻变器件的事情原理，物理不行克隆PUF（PUF：Physical Uncloneable Function）芯片和类脑盘算芯片接纳新型的存算一体（In-Memory Computing）盘算架构也会有差别水平的优化，具有广泛的应用前景。

公司依靠其先进的技术和优秀的团队在市场中建构竞争壁垒。技术方面，公司拥是新一代非易失性存储技术；团队方面，公司首创人及焦点成员均来自清华大学新型存储器团队，此前在新型非易失性阻变存储器领域深耕近十年，其他成员也在芯片设计、开发、治理方面有富厚履历。其中，董事吴华强为清华大学微纳电子系教授、副系主任，曾任美国AMD公司和Spansion公司非易失性存储器研发中心任高级研究员/主任研究员，从事先进非易失性存储器的架构、器件和工艺研究；钱鹤系清华长聘教授，曾在中科院微电子所、三星半导体（中国）研究所任职，主要研究偏向为阻变存储器及其在类脑芯片上的应用，详细关注Si CMOS工艺技术、Si CMOS/SOI抗辐射电路和GaN微波功率器件等的研究。

2020年3月，钱鹤、吴华强团队在《自然》在线发文，通过优化质料和器件结构研制了首款多阵列忆阻器存算一体系统，这意味着可用更低功耗和低硬件成原来解决传统架构中算力难以提升的问题，该系统或可应用于对盘算硬件和存储能力有更高需求的深度学习任务某人工智能项目。公然新闻称，该研究事情获得了国家自然科学基金委、国家重点研发计划、北京市科委、北京信息科学与技术国家研究中心及华为技术有限公司等支持。

现在，「新忆科技」官网公然的互助同伴有清华大学、启迪之星、北京未来芯片技术高精创新中心、摩尔精英和厦门工研院等。

图片泉源：天眼查

天眼查公然信息显示，「新忆科技」法定代表人为王坤，注册资本为2500万人民币，曾在2018年11月完成了由启迪之星、清华控股领投的天使轮融资，但详细金额未公然披露。股权穿透图显示，公司第一大股东为华控技术转移有限公司，持股24%；吴华强和钱鹤各持股20.72%；天使轮投资的领投方启迪之星持股9.2%。其中，华控技术由清华技术100%控股。