台积电霸主背后的隐忧：存储技术缺席，而一支上海复旦帮正暗地助力

台积电的技术宝剑是越磨越利，在 7nm 制程攀上岑岭后，5nm 即将全球首发，一次次漂亮出击乐成让全球霸主职位越发稳固，还称不上独孤求败境界，因为死敌三星耍尽种种花招追赶，英特尔更要在 5nm 夺回全球半导体霸主之位。

无论是三星在逻辑制程上的死缠烂打，或是英特尔失误“让贤”宝座后的发愤直追，台积电心中都有定见与盘算。

唯独让台积电束手无策，且是未来技术前景最大隐忧，是存储技术的全然缺席，而这一点却是强敌三星手中握有的最大筹码。

异质整合技术趋势崛起

或许你会问，台积电已经称霸全球逻辑制程领域，与存储技术之间是井水不犯河水，为什么存储技术上的缺席，会是台积电霸主之位的最大挑战？

因为半导体技术未来的趋势，走向逻辑与存储的异质整合(heterogeneousintegration)技术，要有能力同时整合逻辑和存储两个技术，才气掌握主流半导体工业的发展脚步。

业界一直以来遵循的处置惩罚器和存储芯片分散的冯纽曼盘算架构，到了人工智能芯片时代，逐渐凸显不适时宜的一面。因此，如何让逻辑与存储技术双剑合璧，成为半导体江湖上，人人想练就的“盖世神功”。

台积电与海力士、美光互助无火花

以台积电在全球半导体领域的职位，谁会不想和台积电在生意上沾上边，寻求互助时机。可是，这样的逻辑到了存储世界，似乎有点“碰钉子”。

已往十年期间，台积电先后与SK海力士、美光针对异质型 3D IC 芯片，相互举行技术跨界互助，采 TSV 技术整合逻辑和 DRAM 技术，开发测试芯片。

这样的跨界是合理的，因为台积电在晶圆代工市占率到达 50％，逻辑技术与产能是称霸全球，但在下一世代的异质型整合技术上，缺少的 DRAM 技术被视为最大短板。

放眼全球 DRAM 领域供应商只有三家：三星、SK海力士、美光。

三星和台积电在晶圆代工市场是捉对厮杀，自然不行能互助，因此台积电找上SK海力士、美光互助开发技术，是再自然不外的事。

只是，台积电与SK海力士、美光的进度开发进度在 2013 年、2014 年低调曝光后，就没有进一步的生长传出。

业界认为，已往互助厂商与台积电互助，都是把台积电视为座上宾，但SK海力士、美光在存储领域都各自是一方之霸，逻辑、存储之间有条难跨越的鸿沟，相互之间的互助可能是“点到为止”。

复旦资助力，台积电跨越技术围篱

在人工智能时代迫近下，加速了逻辑和存储整合型技术的需求。然而放眼全球，拥有存储技术的公司实在不多，逻辑霸主台积电也是急了。

近期，台积电在存储技术上，找到一个突破口，背后有上海复旦帮的助力。

凭据问芯Voice相识，台积电以自己的逻辑工艺，与力晶的 DRAM 存储芯片，加上 IP 供应商爱普的特殊 IP 技术的设计，可望做出全球第一颗以堆叠式技术开发而成的逻辑与存储芯片，中间不需要 IO，传输速度大幅增加。

这样技术的关键，在于爱普提供的IP技术，可以透过特殊的客制化设计，将 DRAM 芯片和逻辑芯片的介面设计吻合，顺利整合在一起，实现存算一体 Computing in Memory 技术观点。

在人工智能架构中，存储芯片是接纳高带宽存储HBM（High Bandwidth Memory），现在已生长至第二代 HBM2，专为下一代超级电脑、人工智能、绘图系统所设计，号称能提供最高品级的 DRAM 性能，以及极快速的资料传输速率。但这样做法下，人工智能中用的 HBM 存储芯片，与运算功效还是离开的。

台积电与力晶、爱普的观点，是以异构集成的方式，把存储和运算封装再一起，其实观点与 HBM 很是类似，应用领域也是类似，而优势是把存储带宽在 HBM 基础上提高 100 甚至 1000 倍，意思是，存储和逻辑之间的带宽险些是无限的增加。

问芯Voice相识到，台积电、力晶、爱普举行技术互助开发的堆叠式逻辑与存储芯片技术，是接纳台积电 16 nm 和 7 nm 工艺技术，台积电也将这项技术展示给现有的客户联发科、Nvidia，作为一种现行技术的替代方案，至于后续这些大厂是否会接纳，另有许多评估的面向。

这样的观点应用和客户类型，包罗有人工智能、网络、手机等，更可以应用到 5G 观点上。

台积电与力晶双方各自提供逻辑和存储芯片，促成这样的技术互助，在这中间，爱普提供的 IP 饰演关键角色。

爱普执行长陈文良是在 1988 年上海复旦大学结业，之后获得美国耶鲁大学应用物理博士。

他结业后进入美国英特尔的微处置惩罚器设计部门，之后再进入 Cyprss 担任存储技术开发部门，曾任 Cypress 的特殊 DRAM 产物工程高管，因此对于存储和逻辑技术都很是熟悉。

台积电执行长魏哲家也是美国耶鲁大学电机工程博士，陈文良是魏哲家在耶鲁大学期间的学弟，双方友爱不错，也让这次的技术互助更为顺利。

在这样的互助架构下，爱普的 IP 会运用在几个部门，包罗 DRAM 芯片，以及存储和逻辑芯片连结的 IP 设计技术上。

向学术界借将，台积电补存储短板

台积电在存储领域倒也不是一筹莫展，从近几年的几个计谋上，可以看得出来公司努力要补上此短板。

首先，台积电在 2018 年首次任用存储领域的专家，同时也是史坦福电机工程系终生教职的黄汉森，接替原本是技术长职务的孙元成，出任技术研究组织主管。业界认为，这是台积电在补足存储技术上的短板。

众所皆知，嵌入式存储技术是逻辑工艺中很是重要的环节。一直以来逻辑工艺都是接纳 eFlash 嵌入式技术，可是其速度太慢、占芯片面积过大等缺点，让 eFlash 嵌入式技术在 20 nm 以下逐渐遇到瓶颈。

其实这个问题从 28 nm 开始，险些每一家逻辑技术大厂都提出来讨论过，因此陆续以 eMRAM 等新型态存储技术做取代。

台积电近几年在新型态的嵌入式存储技术上有所突破，乐成进入 40 nm 的嵌入式 RRAM，以及 22 nm 的嵌入式 MRAM。

黄汉森擅长的技术领域正是新型态存储技术的研发，台积电借重他在该领域的长才，来连续强化深度，这番结构有其逻辑。

台积电虽然在嵌入式存储技术上有突破，但嵌入式技术和独立 stand alone 存储芯片是两回事。因此，台积电在存储领域上亟欲寻求突破点。

事实上，NAND Flash 大厂东芝（现为铠侠）在 2017 年举行公然竞标时，台积电内部即评估过收购东芝的可行性，但最后没有脱手到场是认为综效太低，台积电认为和东芝之间技术的互补性太少。对于台积电而言，对于 DRAM 技术的需求性，将会远高于 NAND Flash。

在这样的配景下，三星在逻辑与存储的双栖职位，对于台积电而言绝对是庞大威胁，至于英特尔的状况也很有趣。

英特尔 1968 年建立时，是作 SRAM 存储起家，或许是在 1980 年月从 DRAM 领域退出，专心做处置惩罚器芯片，成为当今全球科技业的霸主。

厥后英特尔也重新投入存储技术的开发，包罗和美光互助 NAND flash 技术，开发PCM 技术如 3D XPoint。

只是谁也没想到，走在总是看似终点，却又柳暗花明又一村的摩尔定律这条路上，履历了凌驾 50 年的时间，如今与英特尔在同一个量级赛道的是晶圆代工起家的台积电，以及存储技术起家的三星。

未来全球半导体霸主之争，相互的较量赛是很是精彩，英特尔解开 10 nm 制程卡关的状况急起直追，要取回龙头宝座; 台积电在逻辑制程领域，技术不停领先，以实力问鼎全球; 三星手握逻辑和存储两大技术利器，是未来的最大优势。

在异质型整合技术的趋势潮水下，未来可能会看到更多跨界互助泛起，这也反映在全球高端技术的赛道上，每一家大厂拥有的优势和资源各异，相互更是如履薄冰地前进着。

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