好消息！中企获美企芯片技术专利的实施许可，1500亿项目正式投产

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据IT之家5月4日报道，我国存储芯片制造巨头合肥长鑫存储宣布，近期已同美国半导体公司蓝铂世签署专利许可协议。据悉，此举意味着合肥长鑫将获得大量动态随机存取存储（DRAM）技术专利的实施许可。

众所周知，我国是芯片入口大国。其中，存储类芯片在我国半导体芯片产物入口中占据较大份额，仅DRAM内存芯片的占比就凌驾20%。参考消息报道曾指出，国际DRAM芯片等高端半导体的制造技术一直被韩国三星电子、韩国SK海力士、美国美光科技3家企业垄断，总共占据了全球95%以上的份额。因此，对我国来说，生长国产DRAM内存芯片工业，淘汰对外依存度显得很有须要。

数据显示，2019年我国集成电路入口金额为3055.5亿美元，同比下降2.1%。在我国支持相关的芯片制造企业生长之际，也在不停迎来好消息。作为我国首家投入量产的DRAM芯片设计制造企业，合肥长鑫在去年9月的世界制造业大会上，宣布投资额达1500亿元内存芯片自主制造项目正式进入投产，将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。

据合肥长鑫有关代表人士透露，在DRAM芯片的制造上，该司接纳的是19nm工艺，目的是月产4万片晶圆。据悉，合肥长鑫是全球第4家接纳20nm以下工艺的内存厂商。业内人士曾预计，到2020年底，仅合肥长鑫一家的内存芯片产能或许就能在全球内存产能中占据3%的份额。

统计数据显示，2015年中国在全球半导体销售额上的占比为24%，到了2019年中国的销售额占比已经提升至35%。此外，我国芯片制造商中芯国际还在年头提前完成了14nm级芯片的量产。然而，在我国芯片制造工业的快速生长之际，日本配合社2月23日的一则报道却指出，包罗日本、美国在内的42个国家宣布，将扩大对半导体产物的出口限制规模。

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